窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐野 雅彦; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2002-06-07 |
| 专利号 | JP3314641B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流、閾値電圧を低下させて室温で連続発振できるレーザ素子を提供する。 【構成】 基板上にn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とを順に有し、p型窒化物半導体層がリッジ形状のストライプを有し、さらに同一面側にn電極と、p電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極は共振面側のリッジ部を除くリッジストライプの平面と側面とに渡って形成されていることにより、実質的なコンタクト面積が大きくなって閾値が低下する。 |
| 公开日期 | 2002-08-12 |
| 申请日期 | 1996-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89543]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野 雅彦,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3314641B2. 2002-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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