Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | YAMAMOTO, SABURO; HAYASHI, HIROSHI; MORIMOTO, TAIJI; YANO, SEIKI |
| 发表日期 | 1988-12-20 |
| 专利号 | US4792960 |
| 著作权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | A semiconductor laser comprising a substrate for crystal growth having a striped channel, an active layer for laser oscillation, a cladding layer containing Mg which is in contact with said active layer at the side of said striped channel substrate. |
| 公开日期 | 1988-12-20 |
| 申请日期 | 1985-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89558]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMAMOTO, SABURO,HAYASHI, HIROSHI,MORIMOTO, TAIJI,et al. Semiconductor laser. US4792960. 1988-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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