半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木之下 秀明 |
| 发表日期 | 1995-05-12 |
| 专利号 | JP1995122821A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、p型基板を用いて構成されるInGaAlP系の半導体レーザおよびその製造方法において、特性および信頼性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、p-GaAs基板11上に形成された、p-InGaAlPクラッド層14、InGaP活性層15、n-InGaAlPクラッド層16,17,18からなるダブルヘテロ構造部を有してなる半導体レーザにおいて、GaAlAs系結晶層に遷移金属元素などをドーピングし、高抵抗のGaAlAs電流ブロック層19を形成する。これにより、p型基板を用いる半導体レーザにおいても、n型の電流ブロック層の場合と同等の電流狭窄効果を得ることができる構成となっている。 |
| 公开日期 | 1995-05-12 |
| 申请日期 | 1993-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89567]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木之下 秀明. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1995122821A. 1995-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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