半導体エピタキシャル成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 久保 実 |
| 发表日期 | 1994-01-21 |
| 专利号 | JP1994013314A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体エピタキシャル成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 GaAs基板とZnSe系のヘテロ界面における格子不整合歪や相互拡散を抑制する。 【構成】 GaAs基板101上にGaAs層102の成長後、As分子線を照射しながら基板温度を300℃まで下げて、As分子線を照射した状態でGa分子線とSe分子線を単分子層相当分ずつ供給してGaAsxSe1-x103を成長する。その後一旦分子線供給を中断したのち、その後、ZnとSeの分子線を供給してZnSe層104のエピタキシャル成長を行う。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1992-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89569]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久保 実. 半導体エピタキシャル成長方法. JP1994013314A. 1994-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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