光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 隆宏; 寺門 知二 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP2950028B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 大面積ウエハで均一性,再現性に優れた光半導体素子を得るために、選択成長により活性層,電流ブロック層を作製する一括成長/プロセスの方法を提供する。 【構成】 MOVPE選択成長によりまず、n型InPクラッド層2,活性層3,p型InPクラッド層4を作製し活性領域全体を(111)B面で被う。その後、SiO2 膜21を部分的に除去し、活性領域の全面に電流ブロック層を選択成長し、活性層上部のn型InP層6をZn拡散によりp型InP層9にする。 【効果】 半導体をエッチングしないため大面積で高均一な光半導体素子が得られる。また、電流ブロック層を作製しているため高性能な素子が実現できる。 |
| 公开日期 | 1999-09-20 |
| 申请日期 | 1992-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89572]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 隆宏,寺門 知二. 光半導体素子の製造方法. JP2950028B2. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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