光集積素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大林 健; 八木 久晴 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216475A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光集積素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザと光導波路のリッジ側面の埋め込み工程、埋め込み材料を同じにする。また、リッジの底面の高さが互いに相違する半導体レーザと光導波路からなる光集積素子を得る。 【解決手段】 第1の光導波路型素子と第2の光導波路型素子とを少なくとも含む光集積素子であって、第1の光導波路型素子と第2の光導波路型素子を構成するストライプ状リッジの底面の高さを互いに相違させる。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89587]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大林 健,八木 久晴. 光集積素子およびその製造方法. JP2000216475A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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