半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 今本 浩史; 今仲 行一; 渡辺 秀明 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005916A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 温度変化に対して光出力の変動が少なく、かつ、外部量子効率が高い面発光型の半導体発光素子を提供する。 【構成】 GaAs基板2の上にAlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x≠y)多層反射膜3、下クラッド層4、活性層5、上クラッド層6、電流ブロック層7およびコンタクト層8を順次成長させる。多層反射膜3の反射スペクトルは光の波長が長くなるに従って反射率が高くなる波長領域を有し、その波長領域に活性層5の発光波長λ0を一致させてある。このためには、多層反射膜3を構成する各層の膜厚をそれぞれ異ならせ、多層反射膜3の反射スペクトルのピーク波長λpが活性層5における発光波長λ0の中心波長よりも大きくなるようにすればよい。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89589]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今本 浩史,今仲 行一,渡辺 秀明. 半導体発光素子. JP1994005916A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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