半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 八重樫 浩樹; 堀川 英明; 後藤 修; 山内 義則 |
| 发表日期 | 1997-01-28 |
| 专利号 | JP1997027651A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 逆バイアスの電気的ノイズに対して破損し難い、信頼性の高い半導体レーザを提供する。 【構成】 レーザダイオード部分60に逆並列ダイオード部分61を含む。すなわち、n-GaAs基板10、n-InGaPクラッド層12、活性層14、p-InGaPクラッド層16、p-GaAsコンタクト層18、p-InGaP電流ブロック層20、n-InGaP電流ブロック層22、レーザダイオードp側オーミック電極24、レーザダイオードn側オーミック電極28であり、これらで埋め込みヘテロ構造のレーザダイオード部分60を構成する。並列ダイオードp-InGaP層40は、並列ダイオードn-InGaP層42、並列ダイオードp側オーミック電極44、並列ダイオードn側オーミック電極46であり、これらで並列ダイオード部分61を構成する。 |
| 公开日期 | 1997-01-28 |
| 申请日期 | 1995-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89594]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八重樫 浩樹,堀川 英明,後藤 修,等. 半導体レーザ. JP1997027651A. 1997-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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