窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 船戸 健次; 簗嶋 克典; 橋本 茂樹 |
| 发表日期 | 2000-03-21 |
| 专利号 | JP2000082671A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化系物III-V族化合物半導体層が成膜される半導体装置において、結晶性にすぐれた窒化系物III-V族化合物半導体層を得ることができるようにすし、電気的特性にすぐれ、長寿命化を図ることができ、更に設計の自由度を高めることのできる半導体装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 サファイア基板2上に、GaN層を含むエピタキシャル成長半導体層4が形成されてなる窒化物系III-V族化合物半導体装置であって、そのGaN層の格子定数aが、少なくとも0.3183nm以下となる構成として、結晶性にすぐれた窒化物系III-V族化合物半導体層を得ることができるようにする。 |
| 公开日期 | 2000-03-21 |
| 申请日期 | 1998-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89598]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 船戸 健次,簗嶋 克典,橋本 茂樹. 窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法. JP2000082671A. 2000-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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