窒化物半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 範秀; 中川 茂; 山岡 慶文; 竹内 哲也; 金子 和 |
| 发表日期 | 1998-09-02 |
| 专利号 | JP1998233529A |
| 著作权人 | HEWLETT PACKARD CO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】従来は、窒化物半導体を外部と電気的に接続するために、窒化物半導体の最外部に位置するp型窒化物半導体上にNiを蒸着し電極としていた。しかしp型窒化物半導体上の電極は高抵抗であり、また駆動するためのしきい値電圧が高かった。本発明の目的は駆動するための電圧が低く接触抵抗の低い電極の提供およびその製造方法を開示することである。 【解決手段】窒化物半導体の最外部に位置するp型窒化物半導体層の上に生成される低抵抗の電極を提供するために電極の材料としてPdを用い、これをp型窒化物半導体層上に蒸着する。さらに蒸着前のHFによる清浄化、蒸着後のアニーリングにより、電極部分における接触抵抗の低減化の効果をさらに顕著にする。 |
| 公开日期 | 1998-09-02 |
| 申请日期 | 1997-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89600]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HEWLETT PACKARD CO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 範秀,中川 茂,山岡 慶文,等. 窒化物半導体素子およびその製造方法. JP1998233529A. 1998-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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