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集積型半導体光素子およびその製造方法

文献类型:专利

作者大柴 小枝子
发表日期1999-06-08
专利号JP1999154770A
著作权人OKI ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名集積型半導体光素子およびその製造方法
英文摘要【課題】 迷光の影響を低減して導波光を出射させ、かつ製造工数を低減すること。 【解決手段】 光変調器領域200の変調吸収層26よりも下側に迷光吸収層20bを設け、かつ当該迷光吸収層を発振領域100の活性層20aおよび変調吸収層の結合部から光変調器領域の出射端面19の直前の位置まで設けてあること。
公开日期1999-06-08
申请日期1997-11-21
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89603]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OKI ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
大柴 小枝子. 集積型半導体光素子およびその製造方法. JP1999154770A. 1999-06-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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