Manufacture of semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | MATSUMOTO KENJI; KURIHARA HARUKI; IIDA SEIJI; MOGI NAOTO |
| 发表日期 | 1984-11-29 |
| 专利号 | JP1984210683A |
| 著作权人 | TOSHIBA KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Manufacture of semiconductor laser device |
| 英文摘要 | PURPOSE:To remove the deformation of a current constriction section, and to improve the reliabilty of a device by forming a striped groove to a layer grown on a GaAs substrate in an epitaxial manner and forming a predetermined layer, a first clad layer, an active layer, a second clad layer and an ohmic layer on the groove in succession. CONSTITUTION:An N-GaAs layer 34 is grown on a P type GaAs substrate 32 in an epitaxial manner, and a striped groove 36 is shaped. A P-Ga1-rAlr (0.1 |
| 公开日期 | 1984-11-29 |
| 申请日期 | 1983-05-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89608]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MATSUMOTO KENJI,KURIHARA HARUKI,IIDA SEIJI,et al. Manufacture of semiconductor laser device. JP1984210683A. 1984-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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