面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明; 近藤 貴幸 |
| 发表日期 | 1994-10-07 |
| 专利号 | JP1994283818A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 完全な電流狭窄が可能な構造を有し、かつ、出射されるレーザ光の偏波面の方向を特定方向に揃えることができる面発光半導体レーザを提供する。 【構成】 (102,202,302,402,502,602)半導体基板に対して垂直な共振器を構成する半導体層の少なくとも(107,207,307,407,507,606)クラッド層を、半導体基板に対して垂直な1本又は複数本の柱状半導体層とする。このとき、柱状部分は、半導体基板に平行な断面が短辺および長辺から成る矩形断面とする。その柱状半導体層の周囲に(109,209,309,409,509,607,608)埋込み層を埋め込んで構成する。この構造により、出射されるレーザ光の偏波面は矩形断面の短辺の方向に揃う。 |
| 公开日期 | 1994-10-07 |
| 申请日期 | 1994-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89610]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 克己,浅賀 達也,岩野 英明,等. 面発光型半導体レーザ. JP1994283818A. 1994-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。