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半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに該半導体レーザ素子を備えた電子機器

文献类型:专利

作者竹岡 忠士
发表日期2009-12-24
专利号JP2009302161A
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに該半導体レーザ素子を備えた電子機器
英文摘要【課題】 1つの素子で異なる複数の波長のレーザ光を出射可能な半導体レーザ素子であって、光出射端面における複数の波長のレーザ光に対する反射率が所定値となるように、自由度が高い状態で調整された半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子本体3には、異なる複数の波長のそれぞれに対応した複数の導波路1,2が形成されている。そして、半導体レーザ素子本体3の光出射端面3aに形成される端面コート膜4は、光出射端面3aから出射される複数の波長のレーザ光に対して所定の反射率を有するように、複数の導波路1,2のそれぞれに対応して、膜厚、膜質、積層数が異なるように形成されている。 【選択図】 図1
公开日期2009-12-24
申请日期2008-06-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89613]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
竹岡 忠士. 半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに該半導体レーザ素子を備えた電子機器. JP2009302161A. 2009-12-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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