半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 多田 仁史; 永井 豊 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256640A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窓部に不純物拡散領域を形成した半導体レーザで、不純物拡散領域に流れ込むリーク電流を抑制する。 【解決手段】 活性層を含む光導波路の端面における光反射によりレーザ発振を起こす半導体レーザ装置において、光導波路の端面を含む選択された領域に亜鉛などの不純物拡散領域を形成する。また、不純物拡散領域の上に電流ブロック層を備え、その光導波路方向の長さを不純物拡散領域の長さより長く形成する。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89614]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 仁史,永井 豊. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1998256640A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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