双安定半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 植之原 裕行; 岩村 英俊; 野中 弘二; 津田 裕之; 黒川 隆志 |
| 发表日期 | 1994-01-28 |
| 专利号 | JP1994021571A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双安定半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 全光入力動作を行う双安定半導体レーザにおいて、クエンチングを生じるために必要な最小スイッチング光強度を低減する。 【構成】 活性層として多重量子井戸構造を有する双安定レーザ部と、レーザ部と交差する二つ以上の光導波路を有し、かつ、交差部分に可飽和吸収領域と利得クエンチング領域を有する双安定半導体レーザである。この双安定半導体レーザは、利得クエンチング領域4Bをその一部に有する光導波路1B,2Bが可飽和吸収領域4Aをその一部に有する光導波路1A,2Aよりも大きい |
| 公开日期 | 1994-01-28 |
| 申请日期 | 1992-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89616]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植之原 裕行,岩村 英俊,野中 弘二,等. 双安定半導体レーザ. JP1994021571A. 1994-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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