半導体レーザおよびこれを用いた光装置
文献类型：专利
| 作者 | 今西 大介 |
| 发表日期 | 2006-02-16 |
| 专利号 | JP2006049420A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびこれを用いた光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型クラッド層における電子の溢れ出しを抑制し、温度特性を向上させることができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層14と第1p型クラッド層17との間に、伝導帯のバンド端の絶対値が活性層14よりも大きい材料により構成された電子障壁層16を有している。従来のように屈折率あるいはバンドギャップの大小のみを考慮する場合と異なり、電子障壁層16の活性層14に対するΔEcを確実に大きくすることができ、第1p型クラッド層17ないし第2p型クラッド層19における電子の溢れ出しを確実に抑制することができる。電子障壁層16の構成材料としては、例えば、活性層14がGaInP混晶により構成されている場合には、GaP,GaInP混晶,AlGaP混晶,GaPSb混晶またはAlGaPSb混晶が好ましい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-02-16 |
| 申请日期 | 2004-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89619]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今西 大介. 半導体レーザおよびこれを用いた光装置. JP2006049420A. 2006-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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