結晶成長装置
文献类型：专利
| 作者 | 古森 正明; 大家 彰; 青木 雅博; 佐藤 宏; 土屋 朋信 |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP2000100728A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶成長装置 |
| 英文摘要 | 【課題】成長雰囲気を局所的に制御し、成長雰囲気の不均一性という問題を回避することで、所望の発光波長分布を有する歪多重量子井戸導波路層の成長技術を実現し、半導体光素子の低コスト化に有利な成長装置を提供する。 【解決手段】有機金属気相成長方法において、多元混晶からなる歪量子井戸層と障壁層とで構成される歪多重量子井戸構造を成長する際、前記量子井戸層と障壁層との成長中断時に、基板表面へ異なるガス流量のガスを照射するか、強度分布を有する熱線を部分的に照射し、成長面内の発光波長を制御し、大面積基板の波長均一化、或いは1回の成長で複数の要求波長を有する導波路層を作製する。 |
| 公开日期 | 2000-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89620]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古森 正明,大家 彰,青木 雅博,等. 結晶成長装置. JP2000100728A. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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