半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 田尻 敦志; 田渕 規夫; 米田 幸司; 吉年 慶一 |
| 发表日期 | 1993-07-30 |
| 专利号 | JP1993190971A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高光出力可能な横モード制御に優れた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 p型基板1上に、電流通路となるストライプ溝7を有するn型電流阻止層2、p型クラッド層3、活性層4、及びn型クラッド層5がこの順序で形成された半導体レーザ装置において、前記p型クラッド層3の層厚tが0.5μm≦t<0.8μmとする。特に、共振器長Lを900μm≦L≦1200μmにする。 |
| 公开日期 | 1993-07-30 |
| 申请日期 | 1992-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89627]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田尻 敦志,田渕 規夫,米田 幸司,等. 半導体レーザ装置. JP1993190971A. 1993-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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