半導体量子井戸レーザの製法
文献类型：专利
| 作者 | 岡本 稔; 納富 雅也 |
| 发表日期 | 1993-05-25 |
| 专利号 | JP1993129710A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸レーザの製法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 活性層としての半導体層にダメージを与えることなしに、所期の半導体量子井戸レーザとしての特性を有するものの製法を提案する。 【構成】 活性層としての半導体層4を、半導体層から、断面逆メサ状の半導体層5′をマスクとして用いて形成している。そのマスクは、爾後高いバンドギャップエネルギを有する半導体層5になる断面逆メサ状の半導体層5′であるので従来のようにマスクを除去する、という工程を有しない。このため、活性層としての半導体層4に、ダメージを与えなくすることができる。 |
| 公开日期 | 1993-05-25 |
| 申请日期 | 1991-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 稔,納富 雅也. 半導体量子井戸レーザの製法. JP1993129710A. 1993-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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