化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 細羽弘之; 須山尚宏; ▲吉▼田 智彦; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 幡 俊雄; 大林 健 |
| 发表日期 | 1999-10-15 |
| 专利号 | JP1999284229A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】P型電極で接触抵抗の低いコンタクトが達成できる化合物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 化合物半導体発光素子において、活性層の上に形成されたGa1-xAlxNからなるP型クラッド層と、該P型クラッド層の上に形成されたGaNからなるP型コンタクト層と、該P型コンタクト層の上に積層されたP型電極とを備える。 |
| 公开日期 | 1999-10-15 |
| 申请日期 | 1992-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89637]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽弘之,須山尚宏,▲吉▼田 智彦,等. 化合物半導体発光素子. JP1999284229A. 1999-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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