半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 堂免 恵; 穴山 親志 |
| 发表日期 | 1997-03-11 |
| 专利号 | JP1997069665A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光装置に関し、S3 レーザとしての利点を損なうことなく、ビーム形状の劣化を抑止して、更に使い易いものにしようとする。 【解決手段】 MQW活性層25の上部(又は下部)に在るp側クラッド層26及び28及び30などに互いに間隔をおいて第一の電流狭窄層31及び第二の電流狭窄層27が形成され、また、第一の電流狭窄層31と第二の電流狭窄層27との間に低不純物濃度高抵抗層29を介在させる。 |
| 公开日期 | 1997-03-11 |
| 申请日期 | 1995-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89642]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堂免 恵,穴山 親志. 半導体発光装置. JP1997069665A. 1997-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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