半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 右田 雅人; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-03-25 |
| 专利号 | JP1994085393A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【構成】II-VI族半導体により形成される超格子構造を活性層として用い、この超格子構造を導波路となるストライプ領域以外でレーザ光照射による加熱により混晶化し平均組成の半導体とし、導波路を形成する。さらに、導波路となるストライプ領域以外の領域の半導体層を同様の手法により高抵抗化して自己整合的に電流狭搾をおこなう。 【効果】II-VI族半導体の形状加工を必要としない横モード制御構造が可能となる。また、レーザ導波路以外の部分の無効電流を防止する構造を自己整合的に形成することができる。 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 申请日期 | 1992-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89656]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,右田 雅人,矢野 振一郎. 半導体レーザ素子. JP1994085393A. 1994-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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