半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之 |
| 发表日期 | 1999-09-28 |
| 专利号 | JP1999266051A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子に関し、ストライプ状メサの脇を流れるリーク電流を低減して、高温動作特性を改善する。 【解決手段】 一導電型半導体基板1上に形成された一導電型下部クラッド層2、活性層3、及び、反対導電型上部クラッド層4を含むダブルヘテロ接合構造のメサの両側をn型電流ブロック層5を含む電流狭窄構造で埋め込むとともに、活性層3と同一水平面内にn型電流ブロック層5の一部が位置するようにし、且つ、活性層3とn型電流ブロック層5との間に高抵抗層6を設ける。 |
| 公开日期 | 1999-09-28 |
| 申请日期 | 1998-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之. 半導体発光素子. JP1999266051A. 1999-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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