半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志; 近藤 真人; 棚橋 俊之; 堂免 恵; 古谷 章 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291679A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、発光領域から隣接領域に連続して形成された活性層を有する半導体レーザ装置に関し、電流閉じ込め特性を向上させた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】発光領域から隣接領域に連続して形成された活性層6が第1導電型クラッド層5と第2導電型クラッド層7との間に挟まれた半導体レーザ装置において、第1導電型クラッド層5中に第1導電型クラッド層5よりも抵抗率が高い第1導電型の高抵抗スペーサ層9が挿入され、高抵抗スペーサ層9の膜厚が、活性層6の発光領域に対応する領域で薄く、活性層6の隣接領域に対応する領域で厚いように構成する。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89693]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志,近藤 真人,棚橋 俊之,等. 半導体レーザ装置. JP1993291679A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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