半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石川 卓哉; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1998-10-23 |
| 专利号 | JP1998284798A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 真円形状のビームスポットを形成可能な歪みのない出射ビームを得ることのできる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 主面が(011)面と等価な面を有する半導体基板上にGaInPまたはAlGaInPからなる活性層、および活性層を挟む一対のクラッド層を含む複数の半導体層を形成してなり、p型半導体層(p型クラッド層)に対するドーパントとしてZnを用いると共に、前記半導体層に発光領域をなすメサストライプを形成した構造とする。またメサストライプの方向を[01-1]方向として順メサ形状を実現する。 |
| 公开日期 | 1998-10-23 |
| 申请日期 | 1997-04-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89696]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 卓哉,粕川 秋彦. 半導体レーザ装置. JP1998284798A. 1998-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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