半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 和久; 香川 仁志; 八木 哲哉 |
| 发表日期 | 1993-03-19 |
| 专利号 | JP1993067835A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体超格子構造からなるMQW活性層の一部を自己整合的に無秩序化する。 【構成】 基板21上に下クラッド層22、半導体超格子構造のMQW活性層33、上クラッド層34、コンタクト層35を形成し、高温において上記半導体超格子構造を無秩序化する作用をもった物質を含む薄膜36A、36Bを共振器端面に形成し、加熱処理により共振器端面38A、38B近傍の活性層の超格子構造を無秩序化して無秩序化領域37A、37Bからなる窓領域を構成することを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1993-03-19 |
| 申请日期 | 1991-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89702]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 和久,香川 仁志,八木 哲哉. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1993067835A. 1993-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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