半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 品川 達志; 石井 宏辰; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2009-02-12 |
| 专利号 | JP2009032985A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】均一な組成分布を有する高In組成のInGaN系の素子であって、発光効率の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザダイオード10は、ZnO基板12と、この基板上に順に形成される擬似格子整合層13、下部クラッド層14、光ガイド層21、活性層15、光ガイド層22、上部クラッド層16及びコンタクト層17とを備える。半導体レーザダイオード10のエピタキシャルウェハが、酸素(O)極性のc面(000_1)ZnO基板12上に形成される。この基板と活性層15の間に形成された擬似格子整合層13は、膜厚が1ML(分子層)以上、ZnO基板12に対して臨界膜厚以下のGaNからなる。ZnO基板中に活性層15のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-02-12 |
| 申请日期 | 2007-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89704]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 品川 達志,石井 宏辰,粕川 秋彦. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2009032985A. 2009-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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