高出力半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 駒崎 岩男 |
| 发表日期 | 1994-08-23 |
| 专利号 | JP1994237041A |
| 著作权人 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高出力半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、p側2クラッド層への電子のリーク抑制効果、高効率·高出力化を図ったことを主要な目的とする。 【構成】基板(11)と、この基板上に形成された第1クラッド層(12)と、この第1クラッド層上に形成された第1光出力導波路層(14)と、この導波路層上に形成され,各量子井戸幅が5nm以下の多重量子井戸活性層(15)と、この活性上に形成された第2光出力導波路層(16)と、この導波路層上に形成され,中央部にメサ部を有する第2クラッド層(18)と、前記第2クラッド層上に形成され,第2クラッド層のメサ部を該メサ部の長手方向に沿って挟みこむ電流ブロック層(2) と、前記第1光出力導波路層と第1クラッド層間,及び前記第2光出力導波路層と第2クラッド層間に夫々形成され,前記各クラッド層のバンドギャップよりも100 meV〜300 meV大きなバンドギャップをもち前記光出力導波路層よりも薄い第1·第2バリア層(12 ,17) とを具備することを特徴とする高出力半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1994-08-23 |
| 申请日期 | 1993-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89706]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 高出力半導体レーザ. JP1994237041A. 1994-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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