半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 米田 幸司 |
| 发表日期 | 1994-06-14 |
| 专利号 | JP1994169134A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流通路のためのストライプ溝を有する半導体レーザを製造する際に、ストライプ溝パターンを確認するための溝出し工程が不要であり、工程数の低減と歩留りの向上とを図る。 【構成】 傾斜基板1に電流阻止層2を成長させた後にストライプ溝10を形成し、更に、p-クラッド層3,活性層4,n-クラッド層5,キャップ層6からなるダブルヘテロ構造を成長させると、ストライプ溝10のパターンを示す表面モフォロジが成長表面に見られるので、この表面モフォロジに合わせてn側電極7を容易にパターン形成する。 |
| 公开日期 | 1994-06-14 |
| 申请日期 | 1992-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89712]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米田 幸司. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994169134A. 1994-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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