半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩瀬 正幸 |
| 发表日期 | 1996-02-16 |
| 专利号 | JP1996046292A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ファイバとの結合が容易でかつ結合効率が高い半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子には、基板10上に形成したレーザ活性層12のレーザ放出端面を成す一方の側壁22とこの側壁22に対向し基板の主面と45度の角度を成す傾斜側壁24とを有する溝が形成される。溝表面には高反射膜28が塗布され、傾斜側壁24の表面が傾斜鏡面を構成する。溝内には、レーザ放出端面と傾斜鏡面との間にコア層30を有する光導波路が形成される。光導波路のコア層30の幅は、レーザ活性層12の端面側でレーザのモードフィールドの径に、傾斜鏡面側で光ファイバのモードフィールドの径に夫々一致させる。光導波路の上側クラッド層32には、放出されるレーザ光を集光するレンズ及び光ファイバのためのファイバガイドが設けられる。 |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 申请日期 | 1994-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89730]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩瀬 正幸. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1996046292A. 1996-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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