半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 淳; 細羽 弘之 |
| 发表日期 | 2006-10-26 |
| 专利号 | JP2006295056A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】、電極との接触抵抗を小さくすることができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体基板1上に第1導電型クラッド層3、4、活性層5、第2導電型クラッド層6、8、リッジ形状の第2導電型キャップ層9および電極層15をこの順に備え、前記第2導電型キャップ層9の電極層15と接触する接触面が粗面9aである半導体レーザ素子を提供することにより、上記課題を解決する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-10-26 |
| 申请日期 | 2005-04-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89731]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 淳,細羽 弘之. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2006295056A. 2006-10-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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