半導体電界吸収型変調器およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 赤毛 勇一; 深野 秀樹; 斉藤 正 |
| 发表日期 | 2004-11-11 |
| 专利号 | JP2004319851A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体電界吸収型変調器およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】変調効率を劣化させることなく、素子内部の温度上昇を抑制する。 【解決手段】n-InPクラッド層12、ノンドープInGaAsP光閉じ込め層13、ノンドープInGaAsP光吸収層14、ノンドープInGaAsP光閉じ込め層15、p-InPクラッド層16およびp-InGaAsコンタクト層17からなるメサストライプ構造と半絶縁性InP層18との境界に沿って溝19を形成し、半絶縁性InP層18よりも比誘電率の低い埋め込み材料20を溝19内に埋め込む。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-11-11 |
| 申请日期 | 2003-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89741]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赤毛 勇一,深野 秀樹,斉藤 正. 半導体電界吸収型変調器およびその製造方法. JP2004319851A. 2004-11-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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