Semiconductor light emitting element
文献类型：专利
| 作者 | WAKITA KOUICHI; MIZUSAWA KOUJI; NISHITANI YOSHIMITSU |
| 发表日期 | 1977-12-15 |
| 专利号 | JP1977150990A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting element |
| 英文摘要 | PURPOSE:To let single mode oscillation to be accomplished by applying mesa etching of mutually varying depths to the epitaxial grown layer of a multilayer hetero junction type laser composed of group III-V compound semiconductors and forming two resonators. |
| 公开日期 | 1977-12-15 |
| 申请日期 | 1976-06-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89797]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WAKITA KOUICHI,MIZUSAWA KOUJI,NISHITANI YOSHIMITSU. Semiconductor light emitting element. JP1977150990A. 1977-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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