Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method
文献类型：专利
| 作者 | TAKANASHI YOSHIFUMI; HORIKOSHI YOSHIHARU; FURUKAWA YOSHITAKA |
| 发表日期 | 1977-11-25 |
| 专利号 | JP1977141187A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method |
| 英文摘要 | PURPOSE:To grow a thin film free from pinholes over the entire surface of wafers by adding a small volume of Mg or Tl to a GaAs growing solution composed of Ga and As or AlxGa1-xAs growing solution composed of GaAs and Al. |
| 公开日期 | 1977-11-25 |
| 申请日期 | 1976-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89813]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TAKANASHI YOSHIFUMI,HORIKOSHI YOSHIHARU,FURUKAWA YOSHITAKA. Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method. JP1977141187A. 1977-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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