Production of semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | ITOU KUNIO; ISHIKAWA SEIJI |
| 发表日期 | 1978-01-30 |
| 专利号 | JP1978010292A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Production of semiconductor laser device |
| 英文摘要 | PURPOSE:To facilitate single mode oscillation by implanting Al ions to the regions out of both ends of an active region which become a resonance surface to increase concentration and forming the resonance surface through selective etching in such a manner that the remaining active regions have a curvature. |
| 公开日期 | 1978-01-30 |
| 申请日期 | 1976-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ITOU KUNIO,ISHIKAWA SEIJI. Production of semiconductor laser device. JP1978010292A. 1978-01-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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