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DISPOSITIF PHOTONIQUE COMPORTANT UN LASER OPTIQUEMENT CONNECTE A UN GUIDE D'ONDE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF PHOTONIQUE

文献类型:专利

作者MENEZO SYLVIE; THIESSEN TORREY LANE; POON JOYCE KAI SEE
发表日期2018-07-20
专利号FR3061961A1
著作权人COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
国家法国
文献子类发明申请
其他题名DISPOSITIF PHOTONIQUE COMPORTANT UN LASER OPTIQUEMENT CONNECTE A UN GUIDE D'ONDE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF PHOTONIQUE
英文摘要L'invention concerne un dispositif photonique (1) comportant : un support (120) ; une couche intermédiaire (420) comportant au moins un matériau diélectrique et une première et une deuxième surépaisseur de silicium (412, 414) espacées l'une de l'autre par un espace (413) ; une première couche de silicium (210) structurée formant au moins partiellement un guide d'onde (200) et une première à une cinquième section de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215) ; une première couche de diélectrique (110) recouvrant la première couche de silicium (210) et une structure à gain (310) comportant au moins un milieu à gain en contact avec la première couche diélectrique (110) ; les deuxième et quatrième section de guide d'onde (212, 214), les première et deuxième surépaisseurs (412, 414) de silicium, et les première et deuxième extrémités de la structure à gain (310) formant une première et une deuxième zone de transition optique entre un guide d'onde hybride laser, formé par une portion centrale de la structure à gain (310), l'espace (413) et la troisième section de guide d'onde (213), et respectivement la première et la cinquième section de guide d'onde (211, 215). L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un tel dispositif photonique (1).
公开日期2018-07-20
申请日期2017-01-19
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89895]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
推荐引用方式
GB/T 7714
MENEZO SYLVIE,THIESSEN TORREY LANE,POON JOYCE KAI SEE. DISPOSITIF PHOTONIQUE COMPORTANT UN LASER OPTIQUEMENT CONNECTE A UN GUIDE D'ONDE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF PHOTONIQUE. FR3061961A1. 2018-07-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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