Halbleiterlaserdiode und Halbleiterbauelement
文献类型：专利
| 作者 | BACHMANN ALEXANDER; ENZMANN ROLAND HEINRICH; MÜLLER MICHAEL |
| 发表日期 | 2019-03-28 |
| 专利号 | DE102017122330A1 |
| 著作权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Halbleiterlaserdiode und Halbleiterbauelement |
| 英文摘要 | Es wird eine Halbleiterlaserdiode (1) angegeben, mit - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20); - einer Strahlungsauskoppelfläche (10), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft; - einer Hauptfläche (11), die die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung begrenzt; - einer Kontaktschicht (3), die an die Hauptfläche angrenzt; und - einer wärmeableitenden Schicht (4), die bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Kontaktschicht stellenweise für eine externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterlaserdiode freiliegt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben. |
| 公开日期 | 2019-03-28 |
| 申请日期 | 2017-09-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89912]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BACHMANN ALEXANDER,ENZMANN ROLAND HEINRICH,MÜLLER MICHAEL. Halbleiterlaserdiode und Halbleiterbauelement. DE102017122330A1. 2019-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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