STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS
文献类型：专利
| 作者 | ILLEK STEFAN; PERZLMAIER KORBINIAN |
| 发表日期 | 2019-07-25 |
| 专利号 | DE102018101389A1 |
| 著作权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS |
| 英文摘要 | Es wird ein Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben mit- einem Halbleiterkörper (2) umfassend einen aktiven Bereich, der zurErzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist,- einem Reflektor (3), der dazu ausgebildet ist, einen Teil der elektromagnetischenStrahlung zu reflektieren,- zumindest einer Kavität (4), die mit einem Material befüllt ist, das einen Brechungsindex von höchstens 1,1 aufweist,und- einer Versiegelung (5), die für das Material undurchlässig ist, wobei- die zumindest eine Kavität (4) zwischen dem Reflektor (3) und demHalbleiterkörper (2) angeordnet ist. |
| 公开日期 | 2019-07-25 |
| 申请日期 | 2018-01-23 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89926]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ILLEK STEFAN,PERZLMAIER KORBINIAN. STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS. DE102018101389A1. 2019-07-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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