一种半导体光发射器件及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 川津善平; 早藤纪生; 迪撒德·马克斯 |
| 发表日期 | 1997-04-30 |
| 专利号 | CN1148734A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体光发射器件及其制作方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体光发射器件，包括一个具有前后表面的硅衬底；一个位于硅衬底前表面的第一过渡层；几个连续位于第一过渡层上的氮化镓串接化合物半导体层。可通过解理产生谐振腔的小平面，并可实现如下结构：一对电极分别置于光发射器件相对的最顶层表面和最底层表面。成本低，而且在氮化镓串接化合物半导体层生长的最初阶段，产生了大量的生长核，而这些生长核又加速了二维生长，结果获得了高质量的氮化镓串接化合物半导体层。 |
| 公开日期 | 1997-04-30 |
| 申请日期 | 1996-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89936]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川津善平,早藤纪生,迪撒德·马克斯. 一种半导体光发射器件及其制作方法. CN1148734A. 1997-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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