半導體雷射裝置及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 內田史朗; 東條剛 |
| 发表日期 | 2003-06-01 |
| 专利号 | TW535337B |
| 著作权人 | 新力股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 英文摘要 | 一種製造脊狀波導形式之半導體雷射元件的方法，可使此元件具有大的半寬值以及高扭曲準位。首先，脊狀區域之等效折射率neff1與脊狀區域兩側之等效折射率neff2的差值△n可表示為△n=neff1-neff2，且脊狀區域之寬度視為W。在此假定之下，下述三個方程式中的常數“a”、“b”、“c”以及“d”將位於X-Y座標上(X-軸：W，Y-軸：△n)。第一個方程式可表為△n≦axW+b，其中“a”與“b”為決定扭曲準位之常數。第二個方程式則表為W≧c，其中“c”為指出當脊狀區域形成時之最小脊狀區域寬度的常數。第三個方程式表示成△n≧d，其中“d”係依據所需之半寬值θpara所決定的常數。於是至少其中某絕緣層之種類與厚度、或於絕緣層上之電極層厚度、或位於脊狀區域兩側之上被覆層部份的種類與厚度，業經指定後，可使△n與W之某種組合能滿足上述三個方程式。 |
| 公开日期 | 2003-06-01 |
| 申请日期 | 2002-04-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89959]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新力股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 內田史朗,東條剛. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW535337B. 2003-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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