异质掩埋激光器的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟 |
| 发表日期 | 2010-11-17 |
| 专利号 | CN101888060A |
| 著作权人 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 异质掩埋激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。 |
| 公开日期 | 2010-11-17 |
| 申请日期 | 2010-06-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89965]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 异质掩埋激光器的制作方法. CN101888060A. 2010-11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。