第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件
文献类型：专利
| 作者 | 住友隆道; 京野孝史; 上野昌紀; 善積祐介; 鹽谷陽平; 足立真寬; 高木慎平; 梁島克典 |
| 发表日期 | 2013-03-16 |
| 专利号 | TW201312886A |
| 著作权人 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件 |
| 英文摘要 | 本發明提供一種具有可降低由COD引起之動作不良並且亦可減小散熱能力下降之構造之第III族氮化物半導體雷射元件。成為雷射諧振器之第1及第2割斷面27、29與m-n面交叉。第III族氮化物半導體雷射元件11具有於m-n面與半極性面17a之交叉線之方向上延伸之雷射波導路。割斷面27、29與c面、m面或a面等之解理面不同。半導體區域19包含於波導向量LGV方向上延伸之第1~第3區域19b~19d。絕緣膜31之開口31a位於半導體區域19之第3區域19d之脊狀構造上。於電極15中,焊墊電極18之第1~第3電極部18b~18d係分別設置於半導體區域19之第1~第3區域19b~19d上。第1電極部18b具有到達割斷面27邊緣之臂部18b_ARM1。 |
| 公开日期 | 2013-03-16 |
| 申请日期 | 2012-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89966]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 住友隆道,京野孝史,上野昌紀,等. 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件. TW201312886A. 2013-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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