一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 盛振; 王智琪; 甘甫烷; 武爱民; 王曦; 邹世昌 |
| 发表日期 | 2013-01-30 |
| 专利号 | CN102904159A |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。 |
| 公开日期 | 2013-01-30 |
| 申请日期 | 2012-10-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89973]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盛振,王智琪,甘甫烷,等. 一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法. CN102904159A. 2013-01-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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