半導體雷射裝置及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福永敏明 |
| 发表日期 | 2003-05-21 |
| 专利号 | TW533633A01B |
| 著作权人 | 日亚化学工业股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 英文摘要 | [課題] 在半導體雷射裝置中，防止高輸出驅動時之於端面之發熱，以提升其可靠性。[解決手段] 在n-GaAs基板101上層疊有n-GaAlAs包層102、n或 i-InGaP下部光波導層103、i-InGaAsP下部障壁層104、 InGaAsP壓縮應變量子井活性層105、p或i-InGaAsP上部障壁層106、以及InGaP罩層(10nm程度)107，然後，與罩層107、上部障壁層106、及下部障壁層104的諧振器端面相鄰接之端面近旁部分予以去除，而在該被除去的端面近旁部分及InGaP罩層上形成所持有的頻帶隙是活性層105的頻帶隙為大之InGaP上部光波導層108，更在該上部光波導層108上形成第2導電型包層部120。[選擇圖]第1圖。 |
| 公开日期 | 2003-05-21 |
| 申请日期 | 2001-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89974]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永敏明. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW533633A01B. 2003-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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