一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 尤明慧; 高欣; 李占国; 刘国军; 李林; 李梅; 王勇; 乔忠良; 邹永刚; 邓昀 |
| 发表日期 | 2010-05-05 |
| 专利号 | CN101702490A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明是一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构，即阱中量子点(DWELL)中红外激光器结构，即在量子阱(WELL)中嵌入量子点(DOT)，通过增加器件中DWELL的有效周期数目提升器件效率。减少有源区In组分和优化量子点、阱宽度和覆盖层，将外延层的应变减至最小。由于量子点的发射效率、光增益都强于量子阱；DWELL对电子的俘获能力、反射率和光限制能力强于单层量子点和多量子阱结构，所以这种DWELL结构具有较高的发射效率。DWELL结构的中红外激光器兼备了传统量子阱和量子点激光器的特点，在DWELL中载流子复合效率更高，可以在更高温度下工作。 |
| 公开日期 | 2010-05-05 |
| 申请日期 | 2009-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尤明慧,高欣,李占国,等. 一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构. CN101702490A. 2010-05-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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