硅发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 楚树成; 菅博文 |
| 发表日期 | 2011-10-05 |
| 专利号 | CN102210029A |
| 著作权人 | 浜松光子学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 硅发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。 |
| 公开日期 | 2011-10-05 |
| 申请日期 | 2009-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89983]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浜松光子学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 楚树成,菅博文. 硅发光元件. CN102210029A. 2011-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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