金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 隋少帅; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云; 黄永箴 |
| 发表日期 | 2014-06-25 |
| 专利号 | CN103887705A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法，包括：在SOI片上刻蚀出周期性的条形波导结构；在p型InP衬底上外延生长III/V激光器外延片；清洗；将III/V激光器外延片和SOI片键合到一起，形成键合片；在键合片上表面生长一SiO2层，在SiO2层表面光刻出激光器图形，刻蚀掉图形外的SiO2层；在制作完成后的III/V激光器外延片的表面生长一层隔离层，并且在激光器谐振腔隔离层表面生长一金属覆盖层；在底部接触层上制作出图形化的N型电极，使之包围在激光器谐振腔的周围；在底部接触层的部分表面及III/V激光器谐振腔的表面蒸发一P型接触电极Ti/Pt/Au，完成制备。 |
| 公开日期 | 2014-06-25 |
| 申请日期 | 2014-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89987]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 隋少帅,唐明英,杨跃德,等. 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法. CN103887705A. 2014-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。