一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 许并社; 贾志刚; 马淑芳; 梁建; 董海亮 |
| 发表日期 | 2017-08-18 |
| 专利号 | CN107069431A |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法 |
| 英文摘要 | 一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法。制备流程，包括：外延片生长、台面刻蚀、深沟刻蚀、3D打印绝缘钝化层、3D打印P面电极、GaAs衬底减薄、抛光、3D打印N面电极、真空划片、钝化、3D打印前腔面增透膜及后腔面增反膜。其中，绝缘钝化层、P面电极、N面电极、前腔面增透膜及后腔面增反膜均由3D打印技术来制备完成。通过引入3D打印技术，本发明带来如下两方面的有益效果：(1)简化了制备过程：3D打印绝缘钝化层免去了套刻、腐蚀开孔的步骤；3D打印P面电极避免了金属电极的带胶剥离过程；(2)减少了杂质的引入：减少了套刻、刻蚀及带胶剥离的过程，所以减少了光刻胶、腐蚀液等化学试剂的引入，同时也降低了其它杂质引入的几率。 |
| 公开日期 | 2017-08-18 |
| 申请日期 | 2017-06-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许并社,贾志刚,马淑芳,等. 一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法. CN107069431A. 2017-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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