具有BeTe缓冲层的Ⅱ－Ⅵ族半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | T・J・米勒 |
| 发表日期 | 2000-03-15 |
| 专利号 | CN1247638A |
| 著作权人 | 美国3M公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有BeTe缓冲层的Ⅱ－Ⅵ族半导体器件 |
| 英文摘要 | 一种Ⅱ－Ⅵ族半导体器件,包括电气连接到顶部电气触点的Ⅱ－Ⅵ族半导体层的堆垛。提供了一种GaAs衬底,它支撑Ⅱ－Ⅵ族半导体层的堆垛并与顶部电气触点相对。在GaAs和Ⅱ－Ⅵ族半导体衬底层的堆垛之间提供BeTe缓冲层。BeTe缓冲层减少了GaAs衬底与Ⅱ－Ⅵ族半导体层堆垛之间界面处的堆垛层错缺陷。 |
| 公开日期 | 2000-03-15 |
| 申请日期 | 1998-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89990]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 美国3M公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | T・J・米勒. 具有BeTe缓冲层的Ⅱ－Ⅵ族半导体器件. CN1247638A. 2000-03-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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